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NTMS4873NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
1750
1500
1250
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
6
Q T
V GS
1000
750
500
250
C oss
C rss
4
2
Q gs
Q gd
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
4
8
12
16
20
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
3
t r
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
60
I D = 11 A
10
100 m s
1 ms
50
40
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
30
20
10
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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